赛米莱德(图)-光刻胶 高温-光刻胶

光刻工艺主要性一

光刻胶不仅具有纯度要求高、工艺复杂等特征，还需要相应光刻机与之配对调试。一般情况下，一个芯片在制造过程中需要进行10~50道光刻过程，由于基板不同、分辨率要求不同、蚀刻方式不同等，不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也不一样，即使类似的光刻过程，光刻胶，不同的厂商也会有不同的要求。

针对不同应用需求，光刻胶的品种非常多，这些差异主要通过调整光刻胶的配方来实现。因此，光刻胶 厚胶，通过调整光刻胶的配方，满足差异化的应用需求，是光刻胶制造商较核心的技术。

此外，由于光刻加工分辨率直接关系到芯片特征尺寸大小，光刻胶 美国，而光刻胶的性能关系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效应。光刻分辨率与曝光波长、数值孔径和工艺系数相关。

政策扶持

为促进我国光刻胶产业的发展，国家02重大专项给予了大力支持。今年5月，02重大专项实施管理办公室组织任务验收*组、财务验收*组通过了“较紫外光刻胶材料与实验室检测技术研究”项目的任务验收和财务验收。

据悉，经过项目组全体成员的努力攻关，完成了EUV光刻胶关键材料的设计、制备和合成工艺研究、配方组成和光刻胶制备、实验室光刻胶性能的初步评价装备的研发，达到了任务书中规定的材料和装备的考核指标。项目共申请发明**15项（包括国际**5项），截止到目前，光刻胶 高温，共获得授权**10项（包括国际**授权3项）。

正胶PR1-2000A1技术资料

正胶PR1-2000A1是为曝光波长为365 或者436纳米，可用于晶圆步进器、扫描投影对准器、近程打印机和接触式打印机等工具。PR1-2000A1可以满足对附着能力较高的要求，在使用PR1-2000A1时一般不需要增粘剂，如HMDS。

相对于其他的光刻胶，PR1-2000A1有如下的一些额外的优势：

PEB，不需要后烘的步骤；

较高的分别率；

快速显影；

较强的线宽控制；

蚀刻后去胶效果好；

在室温下有效期长达2年。