NR77-25000P光刻胶
4,曝光
前烘好的存底放在光刻胶衬底放在光刻机上,经与光刻版对准后,进行曝光,光刻胶NR9g-8000PY,接受光照的光刻胶发生化学变化,形成潜影,
光源与光刻胶相匹配,也就是光源波长在光刻胶的敏感波段;
对准:指光刻板上与衬底的对版标记应准确对准,这样一套光刻版各版之间的图形才能彼此套准。
曝光时间,由光源强度,光刻胶种类,厚度等决定,
另外,为降低驻波效应影响,可在曝光后需进行烘焙,称为光后烘焙(PEB)
市场上,光刻胶NR21-20000P,光刻胶产品依据不同标准,可以进行分类。依照化学反应和显影原理分类,光刻胶可以分为正性光刻胶和负性光刻胶。使用正性光刻胶工艺,形成的图形与掩膜版相同;使用负性光刻胶工艺,形成的图形与掩膜版相反。
按照感光树脂的化学结构分类,光刻胶可以分为①光聚合型,采用烯类单体,光刻胶,在光作用下生成自由基,进一步引发单体聚合,最后生成聚合物,具有形成正像的特点;②光分解型,采用含有叠氮醌类化合物的材料,其经光照后,发生光分解反应,可以制成正性胶;③光交联型,采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,形成一种不溶性的网状结构,光刻胶NR9G-3000PY ,而起到抗蚀作用,可以制成负性光刻胶。
按照曝光波长分类,光刻胶可分为紫外光刻胶(300~450nm)、深紫外光刻胶(160~280nm)、较紫外光刻胶(EUV,13.5nm)、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。不同曝光波长的光刻胶,其适用的光刻极限分辨率不同,通常来说,在使用工艺方法一致的情况下,波长越小,加工分辨率越佳。