PR1-1500A1光刻胶
正性光刻胶的金属剥离技术
正性胶的金属剥离工艺对于获得难腐蚀金属的细微光刻图形比常规的光刻胶掩蔽腐蚀法显示了优越性。本文首先对金属剥离工艺中的正、负光刻胶的性能作了对比分析。认为正性光刻胶除图形分辨率高而适应于微细图形的掩膜外，它还具有图形边缘陡直， 去胶容易等*特性能，光刻胶RD8，比负性光刻胶更有利于金属剥离工艺。然后给出了具体的工艺条件，并根据正性光刻胶的使用特点指出了工艺中的关键点及容易出现的问题。如正性光刻胶同GaAs表面的粘附性较差，这就要求对片子表面的清洁处理更为严格。为了高止光刻图形的漂移控制光刻图形的尺寸，对曝光时同特别是显影液温度提出了严格的要求。由于工艺中基本上不经过腐蚀过程，胶膜的耐腐蚀性降到了次要地位。
PR1-1500A1光刻胶
6，坚膜
坚膜也叫后烘，是为了去除由于显影液的浸泡引起胶膜软化、溶胀现象，能使胶膜附着能力增强，康腐蚀能力提高。
坚膜温度通常情况**前烘和曝光后烘烤的温度 100-140度 10-30min
7，光刻胶NR95g-3000PY，显影检验
光刻胶钻蚀、图像尺寸变化、套刻对准不良、光刻胶膜损伤、线条是否齐、陡
小孔、小岛。
NR9-3000PY 相对于其他光刻胶具有如下优势：
- 优异的分辨率性能
- 快速地显影
- 可以通过调节曝光能量很容易地调节倒梯形侧壁的角度
- 耐受温度100℃
- 室温储存保质期长达3 年
6，坚膜
坚膜也叫后烘，是为了去除由于显影液的浸泡引起胶膜软化、溶胀现象，光刻胶，能使胶膜附着能力增强，康腐蚀能力提高。坚膜温度通常情况**前烘和曝光后烘烤的温度 100-140度 10-30min，7，光刻胶 NR7-1500P，显影检验，光刻胶钻蚀、图像尺寸变化、套刻对准不良、光刻胶膜损伤、线条是否齐、陡，针KONG、小岛。
8刻蚀
就是将涂胶前所垫基的薄膜中没有被光刻胶覆盖和保护的那部分进行腐蚀掉，达到将光刻胶上的图形转移到下层材料的目的。湿法刻蚀，SIO2，AL， Poly-Si 等薄膜，干法腐蚀。
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主要经营光刻胶。
单位注册资金未知。
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